Rapidus logra prototipo de transistores GAA de 2nm

Avance en tecnología de semiconductores en Rapidus

Rapidus Corporation ha prototipado con éxito transistores GAA (gate-all-around) de 2nm en su instalación de Integración Innovadora para Manufactura (IIM-1) en Chitose, Hokkaido. Las pruebas iniciales de características eléctricas confirman la funcionalidad de estos semiconductores avanzados.

Enfoque de fabricación revolucionario

Este logro demuestra el modelo innovador de fundición de Rapidus, que incorpora dos tecnologías clave:

• Procesamiento de oblea única: Permite ajustes en tiempo real y optimización impulsada por IA
• Litografía UV extrema: Esencial para el modelado de nanoestructuras de transistores

Cronograma de desarrollo acelerado

Desde su inicio en septiembre de 2023, Rapidus ha alcanzado hitos importantes: finalización de sala limpia (2024), instalación de maquinaria (junio 2025) y ahora prototipado funcional. La compañía instaló las primeras máquinas EUV avanzadas de Japón y logró exposiciones exitosas en tres meses tras su entrega.

Camino hacia la producción

Rapidus lanzará un kit de desarrollo de procesos para su tecnología de 2nm en el primer trimestre de 2026, permitiendo a los clientes crear prototipos. La producción en masa sigue programada para 2027, posicionando a Rapidus como un actor clave en la fabricación avanzada de semiconductores.