Rapidus Prototypeert Geavanceerde 2nm GAA-Transistoren

Doorbraak in Halfgeleidertechnologie bij Rapidus

Rapidus Corporation heeft met succes 2nm gate-all-around (GAA) transistoren geprototypeerd in haar Innovatieve Integratie voor Productie (IIM-1) faciliteit in Chitose, Hokkaido. Initiële elektrische karakteristiektests bevestigen de functionaliteit van deze geavanceerde halfgeleiders.

Revolutionaire Productieaanpak

De prestatie toont Rapidus' innovatieve foundrymodel aan met twee sleuteltechnologieën:

• Enkele-Wafer Verwerking: Maakt realtime aanpassingen en AI-gestuurde optimalisatie mogelijk
• Extreem UV Lithografie: Cruciaal voor het patroonvormen van nanoscale transistructuren

Agressief Ontwikkelingsschema

Sinds de start in september 2023 heeft Rapidus consequent mijlpalen bereikt: cleanroomvoltooiing (2024), machine-installatie (juni 2025), en nu functionele prototyping. Het bedrijf installeerde Japans eerste geavanceerde EUV-machines en behaalde succesvolle belichtingen binnen drie maanden na levering.

Route naar Productie

Rapidus zal een Procesontwikkelingskit voor zijn 2nm-technologie uitbrengen in Q1 2026, waarmee klanten kunnen prototypeeren. Massaproductie blijft op schema voor 2027, wat Rapidus positioneert als belangrijke speler in geavanceerde halfgeleiderproductie.