Rapidus Prototype des Transistors GAA 2nm de Pointe

Percée dans les Semi-conducteurs chez Rapidus

Rapidus Corporation a réussi le prototypage de transistors gate-all-around (GAA) 2nm dans son usine d'Intégration Innovante pour la Fabrication (IIM-1) à Chitose, Hokkaido. Les tests initiaux de caractéristiques électriques confirment la fonctionnalité de ces semi-conducteurs avancés.

Approche Manufacturière Révolutionnaire

Cette réalisation démontre le modèle innovant de fonderie de Rapidus avec deux technologies clés :

• Traitement Monoplafond : Permet des ajustements en temps réel et une optimisation par IA
• Lithographie UV Extrême : Essentielle pour la structuration nanométrique des transistors

Calendrier de Développement Accéléré

Depuis le début des travaux en septembre 2023, Rapidus a atteint ses jalons : achèvement de la salle blanche (2024), installation des équipements (juin 2025), et désormais prototypage fonctionnel. La société a installé les premières machines EUV avancées au Japon avec des expositions réussies trois mois après la livraison.

Feuille de Route vers la Production

Rapidus publiera un kit de développement de procédé pour sa technologie 2nm au Q1 2026, permettant aux clients de prototyper. La production de masse reste prévue pour 2027, positionnant Rapidus comme acteur clé dans la fabrication de semi-conducteurs avancés.