Rapidus prototipa transistores GAA de 2nm avançados

Avance na Tecnologia de Semicondutores pela Rapidus

A Rapidus Corporation prototipou com sucesso transistores gate-all-around (GAA) de 2nm em sua instalação de Integração Inovadora para Manufatura (IIM-1) em Chitose, Hokkaido. Testes iniciais de características elétricas confirmam a funcionalidade desses semicondutores avançados.

Abordagem Revolucionária de Fabricação

O feito demonstra o modelo inovador de fundição da Rapidus, que utiliza duas tecnologias-chave:

• Processamento de Wafer Único: Permite ajustes em tempo real e otimização guiada por IA
• Litografia EUV Extrema: Essencial para a formação de padrões em nanoescala

Cronograma Agressivo de Desenvolvimento

Desde seu início em setembro de 2023, a Rapidus alcançou marcos consistentes: conclusão da sala limpa (2024), instalação de máquinas (junho 2025) e agora prototipagem funcional. A empresa instalou as primeiras máquinas EUV avançadas do Japão e obteve exposições bem-sucedidas em três meses após a entrega.

Caminho para a Produção

A Rapidus lançará um kit de desenvolvimento de processo para sua tecnologia de 2nm no primeiro trimestre de 2026, permitindo que clientes criem protótipos. A produção em massa permanece no cronograma para 2027, posicionando a Rapidus como um player importante na fabricação avançada de semicondutores.