Rapidus Prototypisiert Moderne 2nm GAA-Transistoren

Durchbruch in Halbleitertechnik bei Rapidus

Rapidus Corporation hat erfolgreich 2nm Gate-All-Around (GAA) Transistoren in ihrer Innovativen Integrationsfertigung (IIM-1) in Chitose, Hokkaido prototypisiert. Erste elektrische Charakteristiktests bestätigen die Funktionalität dieser fortschrittlichen Halbleiter.

Revolutionärer Fertigungsansatz

Die Leistung zeigt Rapidus' innovatives Foundry-Modell mit zwei Schlüsseltechnologien:

• Einzelwafer-Verarbeitung: Ermöglicht Echtzeit-Anpassungen und KI-gesteuerte Optimierung
• Extreme UV-Lithografie: Entscheidend für die Strukturierung von Nano-Transistoren

Aggressiver Entwicklungszeitplan

Seit Baubeginn im September 2023 hat Rapidus konsequent Meilensteine erreicht: Reinraumfertigstellung (2024), Geräteinstallation (Juni 2025) und nun funktionale Prototypisierung. Das Unternehmen installierte Japans erste fortschrittliche EUV-Maschinen und erreichte erfolgreiche Belichtungen innerhalb drei Monate nach Lieferung.

Fahrplan zur Produktion

Rapidus wird ein Prozessentwicklungskit für seine 2nm-Technologie im Q1 2026 veröffentlichen, das Kundenprototypisierung ermöglicht. Die Massenproduktion bleibt für 2027 geplant und positioniert Rapidus als Schlüsselakteur in der fortschrittlichen Halbleiterfertigung.