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PortuguêsRapidus erreicht Prototypisierung von 2nm GAA-Transistoren mit bestätigten elektrischen Eigenschaften, ein Schritt zur Massenproduktion 2027 mit innovativer Einzelwafer-Verarbeitung und EUV-Lithografie.
Durchbruch in Halbleitertechnik bei Rapidus
Rapidus Corporation hat erfolgreich 2nm Gate-All-Around (GAA) Transistoren in ihrer Innovativen Integrationsfertigung (IIM-1) in Chitose, Hokkaido prototypisiert. Erste elektrische Charakteristiktests bestätigen die Funktionalität dieser fortschrittlichen Halbleiter.
Revolutionärer Fertigungsansatz
Die Leistung zeigt Rapidus' innovatives Foundry-Modell mit zwei Schlüsseltechnologien:
- Einzelwafer-Verarbeitung: Ermöglicht Echtzeit-Anpassungen und KI-gesteuerte Optimierung
- Extreme UV-Lithografie: Entscheidend für die Strukturierung von Nano-Transistoren
Aggressiver Entwicklungszeitplan
Seit Baubeginn im September 2023 hat Rapidus konsequent Meilensteine erreicht: Reinraumfertigstellung (2024), Geräteinstallation (Juni 2025) und nun funktionale Prototypisierung. Das Unternehmen installierte Japans erste fortschrittliche EUV-Maschinen und erreichte erfolgreiche Belichtungen innerhalb drei Monate nach Lieferung.
Fahrplan zur Produktion
Rapidus wird ein Prozessentwicklungskit für seine 2nm-Technologie im Q1 2026 veröffentlichen, das Kundenprototypisierung ermöglicht. Die Massenproduktion bleibt für 2027 geplant und positioniert Rapidus als Schlüsselakteur in der fortschrittlichen Halbleiterfertigung.
