Doorbraak in Halfgeleidertechnologie bij Rapidus
Rapidus Corporation heeft met succes 2nm gate-all-around (GAA) transistoren geprototypeerd in haar Innovatieve Integratie voor Productie (IIM-1) faciliteit in Chitose, Hokkaido. Initiële elektrische karakteristiektests bevestigen de functionaliteit van deze geavanceerde halfgeleiders.
Revolutionaire Productieaanpak
De prestatie toont Rapidus' innovatieve foundrymodel aan met twee sleuteltechnologieën:
- Enkele-Wafer Verwerking: Maakt realtime aanpassingen en AI-gestuurde optimalisatie mogelijk
- Extreem UV Lithografie: Cruciaal voor het patroonvormen van nanoscale transistructuren
Agressief Ontwikkelingsschema
Sinds de start in september 2023 heeft Rapidus consequent mijlpalen bereikt: cleanroomvoltooiing (2024), machine-installatie (juni 2025), en nu functionele prototyping. Het bedrijf installeerde Japans eerste geavanceerde EUV-machines en behaalde succesvolle belichtingen binnen drie maanden na levering.
Route naar Productie
Rapidus zal een Procesontwikkelingskit voor zijn 2nm-technologie uitbrengen in Q1 2026, waarmee klanten kunnen prototypeeren. Massaproductie blijft op schema voor 2027, wat Rapidus positioneert als belangrijke speler in geavanceerde halfgeleiderproductie.